武汉新芯申请半导体器件及其制制方式专利可以

　　国度学问产权局消息显示，武汉新芯集成电股份无限公司申请一项名为“半导体器件及其制制方式”的专利，公开号CN121240470A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，半导体器件包罗：基底，所述基底中构成有沟槽；导电材料层取介电材料层，顺次交替地构成正在所述沟槽内且延长至所述沟槽外围的所述基底上以构成沟槽电容器，相邻所述导电材料层之间通过所述介电材料层电性隔离，且所述介电材料层还延长至所述介电材料层下方的所述导电材料层的侧壁上。本发现的手艺方案可以或许无效降低沟槽电容器的漏电风险。天眼查材料显示，成立于2006年，位于武汉市，是一家以处置计较机、通信和其他电子设备制制业为从的企业。企业注册本钱847900。6412万人平易近币。通过天眼查大数据阐发，武汉新芯集成电股份无限公司共对外投资了2家企业，参取招投标项目225次，财富线条，此外企业还具有行政许可106个。